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MIC4123YME-TR实物图
  • MIC4123YME-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MIC4123YME-TR

MIC4123YME-TR

商品型号
MIC4123YME-TR
商品编号
C628008
商品封装
SOIC-8-EP​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)3A
属性参数值
工作电压4.5V~20V
上升时间(tr)11ns
下降时间(tf)11ns
特性-
工作温度-40℃~+125℃@(Tj)

商品概述

MIC4123/4124/4125系列是高可靠性的BiCMOS/DMOS缓冲器/驱动器/MOSFET驱动器。它们是MIC4126/4127/4128的高输出电流版本,而MIC4126/4127/4128是MIC4426/4427/4428的改进版本。这三个系列的引脚兼容。与前代产品相比,MIC4123/4/5驱动器能够在更严苛的电气环境中可靠工作。在其功率和电压额定值范围内,它们在任何条件下都不会发生闩锁。接地引脚能够承受高达5V的任意极性噪声尖峰。它们的输出端能够承受高达半安培的任意极性反向电流,而不会损坏或出现逻辑错误。 MIC4123/4/5系列驱动器比目前市场上其他CMOS或双极型驱动器更易于使用、操作更灵活且容错性更强。其BiCMOS/DMOS结构功耗极低,可实现轨到轨电压摆幅。 MIC4123/4/5驱动器主要用于驱动功率MOSFET,也适用于驱动其他需要低阻抗、高峰值电流和快速开关时间的负载(电容性、电阻性或电感性)。例如重载时钟线、同轴电缆或压电换能器。已知的唯一负载限制是驱动器的总功耗必须保持在封装的最大功耗限制范围内。

商品特性

  • 可靠的低功耗双极/CMOS/DMOS结构
  • 抗闩锁保护,可承受>200 mA反向电流
  • 逻辑输入可承受低至–5V的摆幅
  • 高达3A的峰值输出电流
  • 4.5V至20V的宽工作范围
  • 可在25 ns内驱动1800 pF电容
  • 典型延迟时间短,<50 ns
  • 延迟时间在电源电压变化时保持一致
  • 上升和下降时间匹配
  • TTL逻辑输入与电源电压无关
  • 等效输入电容低,为6 pF
  • 低电源电流 - 逻辑1输入时为3.5 mA - 逻辑0输入时为350 μA
  • 典型输出阻抗低,为2.3Ω
  • 输出电压在接地或VS的25 mV范围内摆动
  • 反相、同相和差分配置
  • 外露背面焊盘封装可减少热量 - ePad SOIC-8L(θJA = 58℃/W) - 4 mm x 4 mm VDFN-8L(θJA = 45℃/W)

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个2500个/圆盘

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