IRFR010TRPBF
停产 1个N沟道 耐压:50V 电流:8.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFR010TRPBF
- 商品编号
- C5656445
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
IRF6619将最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装相结合，在具有SO - 8封装尺寸且高度仅为0.7mm的封装中实现了最低的导通电阻。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可最大化电力系统中的热传递，将此前最佳的热阻降低80%。 IRF6619在低电阻和低电荷之间取得平衡，同时具备超低的封装电感，可降低传导损耗和开关损耗。总损耗的降低使该产品成为为新一代高频运行处理器供电的高效DC - DC转换器的理想选择。IRF6619针对12V总线同步降压转换器中的关键参数进行了优化，包括导通电阻Rds(on)、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。对于同步FET应用，IRF6619尤其具有低导通电阻Rds(on)和高Cdv/dt抗扰度。
商品特性
-低驱动电流-表面贴装-快速开关-易于并联-出色的温度稳定性
应用领域
-计算机及外设-电信设备-直流-直流转换器-消费产品