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IRLIZ24GPBF

1个N沟道耐压:60V 电流:14A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRLIZ24GPBF
商品编号: C5656503
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用场景。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中，具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
快速开关
易于并联

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	14A
	导通电阻(RDS(on))	100mΩ@5V
	耗散功率(Pd)	37W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	18nC@5V
	输入电容(Ciss)	870pF
	反向传输电容(Crss)	53pF
	工作温度	-55℃~+175℃