AT25EU0021A-SSHN-B
AT25EU0021A-SSHN-B
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- AT25EU0021A-SSHN-B
- 商品编号
- C5591111
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.197克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 2Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.65V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品特性
- 电压范围:1.65V ~ 3.6V
- 兼容串行外设接口
- 支持SPI模式0和3
- 支持单输入/输出操作(1,1,1)
- 支持双输入和双输出操作(1,1,2)、(1,2,2)、(0,2,2)
- 支持四输入和四输出操作(1,1,4)、(1,4,4)、(0,4,4)
- 最高工作频率85 MHz
- 串行输入页编程,最多256字节
- 编程挂起和恢复
- 页擦除(256字节)
- 块擦除(4/32/64 kbyte)
- 全芯片擦除
- 擦除挂起和恢复
- 页编程时间:典型值2 ms
- 页擦除时间:典型值8 ms
- 块擦除时间:典型值8 ms
- 芯片擦除时间:典型值8 ms
- 灵活架构:4/32/64 kbyte块
- 硬件复位(HOLD / RESET引脚)
- 软件控制复位
- 软件/硬件写保护
- 3个512字节安全寄存器,带一次性可编程锁
- 通过WP引脚启用/禁用保护
- 通过软件保护写保护全部或部分存储器
- 顶部或底部块选择
- 低功耗
- 工作读取电流:典型值1.2 mA
- 深度掉电电流:典型值100 nA
- 工作温度范围:-40℃ ~ +85℃
- 擦写次数:10k次编程和擦除循环
- 典型数据保持时间:20年
- 行业标准绿色(无铅/无卤素/符合RoHS)封装选项
- 8引脚SOIC(150-mil)
- 8焊盘2×3×0.6mm UDFN

