BLC10G18XS-360AVTZ

功率MOS是一种高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。采用专有的平面条纹设计，具有出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss（“米勒”电容）实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，即使在非常高的频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。高雪崩能量能力提高了反激式、升压式、正激式和其他电路的可靠性。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻,具备出色的热稳定性
• 较低的输出电容,可提升Doherty应用中的性能
• 专为低记忆效应设计,具备出色的数字预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成ESD保护
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 用于1805 MHz至1880 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器