BLF7G20LS-90P,118

AOT12N30/AOTF12N30采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。这些器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。