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BSZ0506NSATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:61A
- 描述
- 特性：针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化。 对于高频开关电源，具有非常低的品质因数Qoss和Q。 在VGS = 4.5 V时，具有非常低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 具有出色的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0506NSATMA1
- 商品编号
- C5565182
- 商品封装
- TSDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.285克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对高性能降压转换器（服务器、VGA）进行优化
- 针对高频开关电源（SMPS），具有极低的品质因数Qoss和品质因数Qg
- 极低的漏源导通电阻（Vgs = 4.5 V时）
- 经过100%雪崩测试
- 出色的热阻性能
- N沟道
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤
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