BSZ0602LSATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:13A 电流:40A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0602LSATMA1
- 商品编号
- C5565184
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A；13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOWF412采用SDMOS沟槽技术制造，该技术将出色的 RDS(on) 与低栅极电荷和低Qrr相结合。其结果是在可控开关行为下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对充电器进行优化
- 具备出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积(品质因数)
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- N 沟道、逻辑电平
- 100% 经过雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 增大源极互连提高了焊点可靠性
- 符合标准级应用要求