BLC8G27LS-100AVY

Power MOS 8TM是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。其采用专有平面条纹设计，具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低Crss“米勒”电容，实现了低开关损耗。多晶硅栅极结构固有的栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制压摆率，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。

• 出色的耐用性
• 高效率
• 低热阻,提供出色的热稳定性
• 去耦引脚,可改善视频带宽
• 较低的输出电容,提高多尔蒂应用的性能
• 低记忆效应设计,具备出色的预失真能力
• 内部匹配,使用方便
• 集成ESD保护
• 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令

• 用于2496 MHz至2690 MHz频率范围的LTE基站和多载波应用的射频功率放大器