- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BR25G640FVM-3GTR
BR25G640FVM-3GTR
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25G640FVM-3GTR
- 商品编号
- C5558404
- 商品封装
- MSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.6V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BR25G640-3 是一款采用 SPI 总线接口的 64Kbit 串行 EEPROM。
商品特性
- 高速时钟操作，最高可达 20MHz
- 通过 HOLDB 终端实现等待功能
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储器区域
- 1.6V 至 5.5V 单电源工作，非常适合电池应用
- 页写模式最多支持 32 字节
- 适用于 SPI 总线接口 (CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
- 自定时编程周期
- 低电流消耗
- 写入操作时 (5V)：0.5mA (典型值)
- 读取操作时 (5V)：2.0mA (典型值)
- 待机操作时 (5V)：0.1 μA (典型值)
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 防止写入错误
- 上电时禁止写入
- 通过命令码 (WRDI) 禁止写入
- 通过 WPB 引脚禁止写入
- 通过状态寄存器 (BP1, BP0) 设置写保护块
- 低电压下防止写入错误
- 数据保存期限超过 100 年
- 写入擦除周期超过 100 万次
- 8 K × 8 位格式
- 初始交付数据
- 存储阵列：FFh
- 状态寄存器：WPEN, BP1, BP0 : 0
- BR25H080F-WCE2
- BR25H080FJ-WCE2
- BR25H640FVT-2CE2
- BR25L020FVT-WE2
- BG126-08-A-1-N-D
- BG126-27-A-1-N-D
- BG165-16-A-A-N-D
- BG165-46-A-A-N-D
- 892-70-030-20-001101
- BG165-74-A-A-N-D
- 892-70-038-10-003101
- BG165-76-A-A-N-D
- 892-70-040-10-001101
- BG190-08-A-3-N-D
- 892-70-044-10-001101
- BG190-28-A-3-N-D
- 892-70-046-10-003101
- BG303-06-A-0300-L-G
- 892-70-048-10-004101
- BG304-02-A-0500-L-G
- 892-70-052-10-004101