BR25H640FVT-2CE2
BR25H640FVT-2CE2
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25H640FVT-2CE2
- 商品编号
- C5558409
- 商品封装
- TSSOP-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.584克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);软件写保护功能;页写保护功能;硬件写保护功能;噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
BR25H640-2C是一款采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。
商品特性
- 高速时钟操作,最高可达10MHz。
- 通过HOLDB端子实现等待功能。
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区域。
- 2.5V至5.5V单电源操作,非常适合电池供电应用。
- 页写入模式,便于工厂出货时的初始值写入。
- 适用于SPI总线接口(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)模式。
- 自定时编程周期。
- 低工作电流:写入操作(5V)时典型值为1.1mA;读取操作(5V)时典型值为1.0mA;待机操作(5V)时典型值为0.1μA。
- 读取操作时地址自动递增功能。
- 防止误写保护:上电时禁止写入;通过命令码(WRDI)禁止写入;通过WPB引脚禁止写入;通过状态寄存器(BP1, BP0)设置写禁止块;低电压时防止误写。
- 提供TSSOP-B8、SOP8、SOP-J8封装。
- 初始交付状态:存储内容为FFh,状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0。
- 数据保存期限超过100年。
- 写入擦除周期超过100万次。
- 通过AEC-Q100认证。
- BR25L020FVT-WE2
- BG165-16-A-A-N-D
- BG165-46-A-A-N-D
- 892-70-030-20-001101
- BG165-74-A-A-N-D
- 892-70-038-10-003101
- BG165-76-A-A-N-D
- 892-70-040-10-001101
- BG190-08-A-3-N-D
- 892-70-044-10-001101
- BG190-28-A-3-N-D
- 892-70-046-10-003101
- BG303-06-A-0300-L-G
- 892-70-048-10-004101
- BG304-02-A-0500-L-G
- 892-70-052-10-004101
- 892-70-054-20-001101
- 892-70-056-10-001101
- 892-70-066-10-001101
- 892-70-070-10-002101
- BGK19264A-BK-FGW


