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BR25H640FVT-2CE2实物图
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BR25H640FVT-2CE2

BR25H640FVT-2CE2

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
BR25H640FVT-2CE2
商品编号
C5558409
商品封装
TSSOP-8-175mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.584克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型SPI
存储容量64Kbit
时钟频率(fc)10MHz
写周期时间(Tw)4ms
属性参数值
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
功能特性内置上电复位(POR);软件写保护功能;页写保护功能;硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压2.5V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

BR25H640-2C是一款采用SPI总线接口方式的串行EEPROM。

商品特性

  • 高速时钟操作,最高可达10MHz。
  • 通过HOLDB端子实现等待功能。
  • 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区域。
  • 2.5V至5.5V单电源操作,非常适合电池供电应用。
  • 页写入模式,便于工厂出货时的初始值写入。
  • 适用于SPI总线接口(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)模式。
  • 自定时编程周期。
  • 低工作电流:写入操作(5V)时典型值为1.1mA;读取操作(5V)时典型值为1.0mA;待机操作(5V)时典型值为0.1μA。
  • 读取操作时地址自动递增功能。
  • 防止误写保护:上电时禁止写入;通过命令码(WRDI)禁止写入;通过WPB引脚禁止写入;通过状态寄存器(BP1, BP0)设置写禁止块;低电压时防止误写。
  • 提供TSSOP-B8、SOP8、SOP-J8封装。
  • 初始交付状态:存储内容为FFh,状态寄存器WPEN、BP1、BP0为0。
  • 数据保存期限超过100年。
  • 写入擦除周期超过100万次。
  • 通过AEC-Q100认证。

数据手册PDF