71V256SA12PZI
71V256SA12PZI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V256SA12PZI
- 商品编号
- C5522377
- 商品封装
- TSOP-28
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
IDT 71V256SA 是一款 262,144 位的高速静态随机存取存储器，组织形式为 32K×8。它采用 IDT 的高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。IDT71V256SA 具有出色的低功耗特性，同时保持非常高的性能。最快 10ns 的地址访问时间非常适合 3.3V 桌面设计中的 3.3V 二级缓存。当电源管理逻辑将 IDT71V256SA 置于待机模式时，其极低的功耗特性有助于延长电池寿命。通过将 CS 置为高电平，SRAM 将自动进入低功耗待机模式，并在 CS 保持高电平时保持待机状态。此外，在完全待机模式下（CS 处于 CMOS 电平，f = 0），功耗保证始终小于 6.6mW，通常会小得多。IDT71V256SA 采用 28 引脚 300 密耳 SOJ 和 28 引脚 300 密耳 TSOP I 型封装。
商品特性
- 非常适合高性能处理器二级缓存
- 有商业级（0℃ 至 +70℃）和工业级（-40℃ 至 +85℃）温度范围可选
- 快速访问时间：商业级和工业级为 10/12/15/20ns
- 低待机电流（最大值）：全待机时为 2mA
- 采用小封装，布局节省空间：28 引脚 300 密耳 SOJ、28 引脚 TSOP I 型
- 采用先进的高性能 CMOS 技术生产
- 输入和输出与 LVTTL 兼容
- 单 3.3V（±0.3V）电源供电
应用领域
- 高性能处理器二级缓存