- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
71V2576YS150PF
71V2576YS150PF
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71V2576YS150PF
- 商品编号
- C5522406
- 商品封装
- TQFP-100(14x14)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71V2576/78是高速静态随机存取存储器，组织架构为128K x 36/256K x 18。这些静态随机存取存储器包含写、数据、地址和控制寄存器。内部逻辑允许静态随机存取存储器基于可延迟至写周期结束的决策生成自定时写操作。它们采用最新的高性能CMOS工艺，并封装在符合JEDEC标准的14mm x 20mm 100引脚薄型塑料四方扁平封装以及119球栅阵列和165细间距球栅阵列中。
商品特性
- 支持128K x 36、256K x 18的存储器配置
- 支持高系统速度：商业和工业级分别支持150MHz（3.8ns时钟访问时间）和133MHz（4.2ns时钟访问时间）
- LBO输入选择交错或线性突发模式
- 具有全局写控制、字节写使能和字节写的自定时写周期
- 核心电源电压为3.3V
- 通过ZZ输入控制掉电模式
- 输入/输出电压为2.5V
- 可选边界扫描JTAG接口（符合IEEE 1149.1标准）
- 采用符合JEDEC标准的100引脚塑料薄型四方扁平封装、119球栅阵列和165细间距球栅阵列封装