71T75602S200BGGI
71T75602S200BGGI
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 71T75602S200BGGI
- 商品编号
- C5522162
- 商品封装
- PBGA-119(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动掉电功能;边界扫描(JTAG)功能 |
商品概述
IDT71T75602/802是2.5V高速同步静态随机存取存储器,旨在消除读写或写读操作间总线转向时的空闲周期。地址和控制信号在一个时钟周期内施加,两个周期后发生相关的数据周期。该器件包含数据输入/输出、地址和控制信号寄存器。输出使能是的异步信号,可在任何给定时间禁用输出。时钟使能引脚允许根据需要暂停器件操作。当该引脚为高电平时,所有同步输入被忽略,内部寄存器保持其先前值。三个芯片使能引脚允许用户在需要时取消选择器件。如果这三个引脚中的任何一个在地址有效/加载为低电平时未被置位,则无法启动新的存储器操作,但任何待处理的数据传输(读或写)仍将完成。数据总线将在器件被取消选择或启动写操作两个周期后进入三态。该器件具有片上突发计数器。在突发模式下,可为呈现给存储器的单个地址提供四个数据周期。突发序列的顺序由线性突发/交错突发输入引脚定义。地址有效/加载信号用于加载新的外部地址或递增内部突发计数器。该器件采用高性能2.5V互补金属氧化物半导体工艺制造,并采用标准100引脚薄型塑料四方扁平封装和119球栅阵列封装。
商品特性
- 支持512K x 36、1M x 18的存储器配置
- 支持高性能系统速度,最高200兆赫兹
- 零总线周转特性,在写和读周期之间无空闲周期
- 内部同步的输出缓冲器使能,无需控制输出使能
- 单个读写控制引脚
- 正时钟边沿触发地址、数据和控制信号寄存器,适用于全流水线应用
- 4字突发能力(交错或线性)
- 独立的字节写控制
- 三个芯片使能引脚,便于深度扩展
- 2.5伏电源供电
- 2.5伏输入/输出电源
- 由ZZ输入控制的掉电模式
- 边界扫描测试操作端口接口
- 采用标准100引脚塑料薄型四方扁平封装和119球栅阵列封装
- 71T75802S100PFG
- 71V016SA10PHG
- 71V124SA10YG
- 416-91-222-41-007000
- 416F36011CKR
- 712FS277NF1012-31
- 744784022
- 71A36-08-1-08N
- 416-91-230-41-003000
- 712FS775NF14A24-7
- 416F36013IDR
- 71A36-08-2-03N
- 416-91-232-41-006000
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- 712FS839NF1006
- 416F3601XAAR
- 71AD30-02-1-AJN
- 712FS839NF1016
- 416F50012CLR
- 416-91-238-41-006000
- 416F3601XADR

