2N3585
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 25 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 5mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 750mV | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
2N3583、2N3584和2N3585是采用TO66封装的硅晶体管，专为高速开关和线性放大器应用而设计，适用于高压运算放大器、开关稳压器、转换器、逆变器、偏转级和高保真放大器。
商品特性
- TO66封装
- 连续集电极电流：→
- 功率耗散：PD = 35W，在TC = +25°C时
- 集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat) = 0.75V（最大值），在IC = 1A、IB = 125mA时
应用领域
高速开关、线性放大器、高压运算放大器、开关稳压器、转换器