- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N4033
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 300 | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV；500mV；1V | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
2N4033是一款采用TO - 39封装的硅晶体管，主要设计用于放大器和开关应用。该器件具有高击穿电压、低漏电流、低电容，并且在极宽的电流范围内具有有用的电流放大倍数。