商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V |
商品概述
2N6287是一款采用TO3封装的硅PNP达林顿晶体管，适用于通用放大器和低频开关应用。
商品特性
- 集电极电流IC = 10A时具有高直流电流增益：hFE典型值为4000（NTE252）
- 集电极-发射极维持电压：VCEO(sus)最小值为100V
- 单片结构，内置基极-发射极并联电阻
应用领域
-通用放大器-低频开关应用
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