商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 直流电流增益(hFE) | 750 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3V | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃@(Tj) |
商品概述
2N6294硅NPN达林顿晶体管采用TO-66封装，适用于通用放大器、低频开关和锤击驱动器应用。
商品特性
- 高直流电流增益：hFE = 3000（典型值，IC = 2A时）
- 低集电极 - 发射极饱和电压：VCE(sat) = 2V（最大值，IC = 2A时）
- 集电极 - 发射极维持电压：VCEO(sus) = 60V（最小值）
- 内置基极 - 发射极并联电阻的单片结构