商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 无线充电 DC-DC转换器 电源管理
商品特性
-低导通电阻。-超高速开关。-便于安装的无引脚封装。
应用领域
- 无线充电-DC-DC转换器-电源管理
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