2SK4196LS
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.56Ω@10V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 隔离衬底
- 高隔离电压（>2500V）
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- IXYS先进的低Qg工艺
- 低栅极电荷和电容
- 更易于驱动
- 更快的开关速度
- 低导通电阻RDS(on)
- 极低的插入电感（<2nH）
- 无氧化铍（BeO）或其他有害物质