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HMC8119-SX
81 GHz至86 GHz，E频段I/Q上变频器
- 描述
- HMC8119-SX是HMC8119的样品版本，包含两对裸芯片，适用于样品订单。HMC8119是一款集成E-band砷化镓（GaAs）伪高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC），用于相位/正交（I/Q）上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8119-SX
- 商品编号
- C605836
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF放大器 | |
| 频率 | 81GHz~86GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V | |
| 工作电流 | 175mA |
商品概述
HMC8119是一款集成式E波段砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）同相/正交（I/Q）上变频器芯片，工作频率范围为81 GHz至86 GHz。HMC8119在整个频段内提供10 dB的小信号转换损耗，边带抑制为22 dBc。该器件采用由6倍本振（LO）倍频器驱动的镜像抑制混频器，提供差分I和Q混频器输入。对于直接转换应用，这些输入可由差分I和Q基带波形驱动；或者，对于单边带应用，可使用外部90°电桥和两个外部180°电桥来驱动这些输入。所有数据均包含中频（IF）端口上1密耳金线楔形键合的影响。
商品特性
- 典型转换损耗：10 dB
- 典型边带抑制：22 dBc
- 1 dB压缩点输入功率（P1dB）：典型值16 dBm
- 输入三阶交调截点（IP3）：典型值24 dBm
- 输入二阶交调截点（IP2）：典型值 -5 dBm
- 射频输出端6倍本振（LO）泄漏：典型值 -23 dBm
- 典型射频回波损耗：12 dB
- 典型本振回波损耗：20 dB
- 芯片尺寸：3.601 mm×1.609 mm×0.05 mm
应用领域
- E波段通信系统
- 高容量无线回传
- 测试与测量