EPC23104ENGRT
EPC23104ENGRT
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- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC23104ENGRT
- 商品编号
- C5448592
- 商品封装
- WQFN-13-HR(3.5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 工作电压 | 10V~80V | |
| 上升时间(tr) | 1.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 1.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
EPC23104 ePower™级集成电路将半桥栅极驱动器与内部高端和低端场效应晶体管（FET）集成在一起。集成采用宜普电源转换公司（EPC）专有的氮化镓（GaN）集成电路技术实现。该单片芯片集成了输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路，用于控制配置为半桥功率级的高端和低端增强型氮化镓（eGaN）输出场效应晶体管。从低端通道到高端通道的稳健电平转换器，设计用于在软开关和硬开关条件下正常工作，即使在较大的负钳位电压下也能避免快速dv/dt瞬变（包括由外部源或其他相位驱动的瞬变）引起的误触发。内部电路集成了逻辑电源和自举电源的充电和禁用功能。增加了保护功能，以防止输出场效应晶体管在电源电压较低甚至完全失电时意外导通。 该单芯片采用倒装芯片到引线框架技术，安装在一个3.5×5毫米的四方扁平无引脚（QFN）封装内。这种封装结构使电源端子到下层印刷电路板（PCB）焊盘的寄生电感极低。EPC23104 QFN封装的外露焊盘设计为高低压引脚之间至少有0.6毫米的间距，以满足100 V电压下的IPC爬电规则。另一项改进是将氮化镓集成电路芯片的背面暴露在封装顶部，同时将芯片其余部分完全封装起来。这使得从芯片结到附加散热器的热阻路径非常低。
商品特性
- 集成高端和低端eGaN场效应晶体管，内置栅极驱动器和电平转换器
- 5 V外部偏置电源
- 3.3 V或5 V互补金属氧化物半导体（CMOS）输入逻辑电平
- 独立的高端和低端控制输入
- 逻辑互锁功能，当两个输入同时为高电平时，使两个场效应晶体管关断
- 外部电阻可调节开关节点（SW）的开关时间和高于电源轨及低于地的过压尖峰
- 稳健的电平转换器，适用于硬开关和软开关条件
- 对快速开关瞬变具有抗误触发能力
- 高端自举电源同步充电
- 禁用输入可使VDRV电源进入低静态电流模式
- 低端VDD电源上电复位
- 高端VBoot电源上电复位
- 当VDRV电源失电时，高端场效应晶体管和低端场效应晶体管的栅极主动下拉
- 热增强型QFN封装，顶部外露，从结到顶部散热器的热阻低
应用领域
- 降压、升压、降压-升压转换器
- 半桥、全桥LLC转换器
- 电机驱动逆变器
- D类音频放大器