LMG3522R030RQSR

集成驱动器和保护功能的LMG3522R030氮化镓场效应晶体管（GaN FET）适用于开关模式电源转换器，可帮助设计人员实现更高的功率密度和效率。 LMG3522R030集成了一个硅基驱动器，开关速度最高可达150 V/ns。与分立硅栅极驱动器相比，德州仪器（TI）的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关安全工作区（SOA）。这种集成设计与TI的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中实现干净的开关操作和最小的振铃。可调的栅极驱动强度可将压摆率控制在20 V/ns至150 V/ns之间，从而有效控制电磁干扰（EMI）并优化开关性能。

• 集成栅极驱动器的650 V硅基氮化镓场效应晶体管
• 集成高精度栅极偏置电压
• 200 V/ns的FET关断能力
• 2 MHz开关频率
• 20 V/ns至150 V/ns的压摆率，可优化开关性能并降低电磁干扰
• 7.5 V至18 V电源供电
• 逐周期过流保护和锁存式短路保护，响应时间小于100 ns
• 硬开关时可承受720 V浪涌
• 通过内部过温监测和欠压锁定（UVLO）实现自我保护

• 开关模式电源转换器
• 商用网络和服务器电源
• 商用电信整流器
• 太阳能逆变器和工业电机驱动器
• 不间断电源