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HMC232ALP4E

宽带高隔离度非反射型GaAsMESFETSPDT射频开关

描述: HMC232ALP4E是一种宽带高隔离度非反射型GaAsMESFETSPDT射频开关，采用低成本无引脚QFN表面贴装塑料封装。覆盖DC至12GHz的频率范围，具有>57dB的隔离度（最高至3GHz）和>45dB的隔离度（最高至12GHz）。输入P1dB压缩点为+30dBm，输入IP3为+48dBm。开关使用互补负控制电压逻辑线-5/0V，无需偏置电源。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC232ALP4E
商品编号: C605554
商品封装: QFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.246克(g)

商品概述

HMC232ALP4E是一款宽带、高隔离度、非反射式砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）单刀双掷（SPDT）开关，采用低成本无引脚QFN表面贴装塑料封装。该开关覆盖直流至12 GHz频段，在3 GHz以下隔离度大于57 dB，在12 GHz以下隔离度大于45 dB。典型输入P1dB压缩点为+30 dBm，输入三阶交调截点（IP3）为+48 dBm。该开关采用-5/0V互补负控制电压逻辑线工作，无需偏置电源。

商品特性

隔离度：3 GHz时为57 dB，6 GHz时为50 dB
输入P1dB：+30 dBm
插入损耗：6 GHz时典型值为1.5 dB
非反射式设计
24引脚4x4mm QFN封装：16mm²
包含在HMC-DK005设计套件中

应用领域

电信基础设施
微波无线电与甚小口径终端（VSAT）
测试仪器

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	0Hz~12GHz
	隔离度	50dB

	属性	参数值
	插入损耗	1.5dB
	工作温度	-40℃~+85℃