HMC-SDD112

55-86GHzGaAsPINMMICSPDT射频开关

描述: HMC-SDD112是一款单片GaAsPIN二极管SPDT开关，具有低插入损耗和高隔离度。该开关采用全并联结构，集成直流阻断和直流偏置电压解耦电路。所有键合焊盘和芯片背面均采用Ti/Au金属化处理，并且PIN二极管器件完全钝化，确保可靠运行。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC-SDD112
商品编号: C605780
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HMC-SDD112是一款基于GaAs PIN二极管的单片单刀双掷（SPDT）毫米波集成电路（MMIC）开关，具有低插入损耗和高隔离度的特点。这款全并联式MMIC SPDT开关集成了片上直流隔直电容和直流偏置电压去耦电路。所有键合焊盘和芯片背面均采用钛/金（Ti/Au）金属化处理，PIN二极管器件经过全面钝化处理，确保可靠运行。HMC-SDD112 GaAs PIN SPDT开关适用于传统芯片贴装方法，以及热压和热超声引线键合，非常适合多芯片模块（MCM）和混合微电路应用。

商品特性

低插入损耗：2 dB
高隔离度：30 dB
射频输入/输出直流隔离
集成直流偏置电路
芯片尺寸：2.01×0.975×0.1 mm

应用领域

美国联邦通信委员会（FCC）E波段通信系统
短距离/大容量无线电设备
汽车雷达
测试与测量设备、卫星通信（SATCOM）
传感器

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	电路结构	单刀双掷
	频率	55GHz~86GHz
	隔离度	30dB
	插入损耗	2dB

	属性	参数值
	P1dB	-
	工作电压	5.5V
	工作温度	-55℃~+85℃
	功能特性	集成阻抗匹配网络