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HMC7911LP5E

17.0 GHz至20.0 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

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描述: HMC7911是一款紧凑型砷化镓（GaAs）伪形态高电子迁移率晶体管（pHEMT）单片微波集成电路（MMIC）上变频器，采用低应力注塑塑料LFCSP封装，工作频率为17 GHz至20 GHz。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: HMC7911LP5E
商品编号: C605548
商品封装: QFN-32-EP(5x5)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品概述

HMC7911 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 伪形态高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 单片微波集成电路 (MMIC) 上变频器，采用符合 RoHS 标准、低应力的注塑塑料 LFCSP 封装，工作频率范围为 17 GHz 至 20 GHz。该器件提供 18 dB 的小信号转换增益和 30 dBc 的边带抑制。HMC7911 使用一个可变增益放大器，前面是一个由主动 2 倍本振 (LO) 倍频器驱动的同相/正交 (I/Q) 混频器。提供了 IF1 和 IF2 混频器输入，并且需要外部 90° 混合器来选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不需要的边带进行滤波的需求。HMC7911 是混合式单边带上变频器组件的一个更小的替代方案，并且通过允许使用表面贴装制造技术消除了对引线键合的需求。

应用领域

点对点和点对多点无线电
卫星通信
传感器

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	属性	参数值
	商品目录	RF混频器
	增益/损耗	18dB
	噪声系数	14dB

	属性	参数值
	工作电压	4V~8V
	工作电流	320mA
	工作温度	-40℃~+85℃