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HMC8410CHIPS
0.01 GHz至10 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器
- 描述
- HMC8410CHIPS 是一个基于砷化镓 (GaAs) 的单片微波集成电路 (MMIC)，采用伪高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 技术，具有低噪声、宽带特性。它的工作频率范围为 0.01 GHz 至 10 GHz，提供 19.5 dB 的典型增益和 1.1 dB 的典型噪声系数，饱和输出功率为 22.5 dBm。
- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- HMC8410CHIPS
- 商品编号
- C605525
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频低噪声放大器 | |
| 工作电压 | - | |
| 工作电流 | - | |
| 增益 | 19.5dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| P1dB | 21dBm | |
| 噪声系数 | 1.1dB | |
| 工作温度 | -55℃~+85℃ |
商品概述
HMC8410CHIPS是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术，是一款低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.01 GHz至10 GHz。HMC8410CHIPS典型增益为19.5 dB，典型噪声系数为1.1 dB，典型输出三阶交调截点（IP3）为33 dBm，在5 V电源电压下仅需65 mA电流。22.5 dBm的饱和输出功率（PSAT）使这款低噪声放大器（LNA）可作为许多亚德诺半导体（Analog Devices）平衡式、I/Q或镜像抑制混频器的本振（LO）驱动器。 HMC8410CHIPS还具备内部匹配至50 Ω的输入/输出端口，使其非常适合基于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。
商品特性
- 低噪声系数：典型值1.1 dB
- 高增益：典型值19.5 dB
- 高输出三阶交调截点（IP3）：典型值33 dBm
- 芯片尺寸：0.945 mm×0.61×0.102 mm
应用领域
软件定义无线电 - 雷达应用
交货周期
订货25-27个工作日购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单