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DDTA114EE-7-F
DDTA（R1 = R2）EE
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- 描述
- 特性：外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 内置偏置电阻，R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 封装：SOT523。 封装材料：模塑塑料，“绿色”模塑料。 UL阻燃等级：94V-0。 湿度敏感度：根据J-STD-020为1级。 引脚：表面处理为哑光镀锡引线，可根据MIL-STD-202方法208焊接。 重量：约0.002克
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA114EE-7-F
- 商品编号
- C5448340
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,300mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz |
商品特性
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDTC)-内置偏置电阻,R1=R2-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准