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ESD7571N2T5G

ESD 5.3V截止

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描述: ESD7571旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: ESD7571N2T5G
商品编号: C605397
商品封装: DFN1006-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.01克(g)

商品参数

商品概述

ESD7571旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

商品特性

行业领先的电压电容线性度
超低电容：最大0.35 pF
耐受电压：5.3 V
低泄漏电流：<1 nA
低动态电阻：<1 Ω
IEC61000 - 4 - 2 四级静电放电保护
1000次 IEC61000 - 4 - 2 静电放电冲击 ±8 kV 接触/空气放电
SZESD7571MXWT5G - 可焊侧翼封装，便于自动光学检测（AOI）
汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准

应用领域

射频信号静电放电保护
射频开关、功率放大器（PA）和天线静电放电保护
近场通信
USB 2.0、USB 3.0

数据手册PDF

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(8000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

起订量：5 个8000个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	5.3V
	钳位电压	15V
	击穿电压	7V
	反向电流(Ir)	50nA

	属性	参数值
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.35pF