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AO4441(UMW)
耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻和超低栅极电荷。 VDS(V) = -60V。 ID = -4A（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 100mΩ（VGS = -10V）。 RDS(ON) < 130mΩ（VGS = -4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4441(UMW)
- 商品编号
- C5447653
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V；102mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
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