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IRF7404TR(UMW)实物图
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IRF7404TR(UMW)

N沟道 耐压:20V 电流:6.7A

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描述
特性:通过定制引线框架进行了修改,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。 改进后可在应用中使用多个器件,显著减少电路板空间。 该封装设计适用于气相、红外线或波峰焊接技术。 典型 PCB 安装应用中功耗大于 0.8W。 VDS(V) = -20V。 RDS(ON)< 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON)< 60mΩ (VGS = -2.7V)。 第五代技术。 超低导通电阻。 表面贴装。 动态 dv/dt 额定值。 快速开关。 无铅
商品型号
IRF7404TR(UMW)
商品编号
C5447690
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.7A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))700mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)50nC
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)340pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)730pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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