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IPB011N04NF2S

1个N沟道 耐压:40V 电流:201A

描述
特性：针对广泛应用进行优化。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称
Infineon(英飞凌)
商品型号
IPB011N04NF2S
商品编号
C5445210
商品封装
TO-263-3​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)201A
导通电阻(RDS(on))1.15mΩ@10V,201A
耗散功率(Pd)3.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.4V
栅极电荷量(Qg)210nC@10V
输入电容(Ciss)15nF@20V
反向传输电容(Crss)272pF@20V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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