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ET6680T
SGT N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：SGT技术。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 出色的Qg x RDS(ON)乘积（品质因数）。 无铅和无卤。应用：电信和工业中的隔离式DC/DC转换器。 电动工具应用
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET6680T
- 商品编号
- C5444270
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.71nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- SGT技术
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 优异的Qg x RDS(ON)乘积（品质因数）
- 无铅无卤
应用领域
- 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
- 电动工具应用
- 计算机、服务器和负载点的DC/DC转换器