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ET6480
N沟道高密度沟槽MOSFET
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- 描述
- 特性：超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 无铅和无卤。应用：负载开关。 锂电池保护板
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET6480
- 商品编号
- C5444268
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RC50N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON)典型值为5.4 mΩ
- 当栅源电压VGS = 5V时，导通电阻RDS(ON)典型值为8 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电ESD能力
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源