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ET8204
双N沟道 增强型 MOSFET
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- 描述
- 特性：超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 ESD等级：2000V HBM。 无铅和无卤
- 品牌名称
- ETERNAL(宜源科技)
- 商品型号
- ET8204
- 商品编号
- C5444255
- 商品封装
- DFN2x3-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 无铅（Pb）且无卤