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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 功率 | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 550mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
RC20N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 表面贴装封装
- 无铅(Pb)且无卤
应用领域
- 锂电池保护板