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IPTC014N10NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:365A
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- 描述
- 特性：N- 沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC014N10NM5ATMA1
- 商品编号
- C5443905
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 365A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 168nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个1000个/圆盘
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