MJD112G
NPN 耐压:100V 电流:2A
- SMT扩展库
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
MJD112G商品编号
C603305商品封装
DPAK包装方式
管装
商品毛重
0.35克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 达林顿管 | |
类型 | NPN | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
直流电流增益(hFE@Vce,Ic) | 1000@3V,2A | |
功率(Pd) | 1.75W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
集电极电流(Ic) | 2A | |
特征频率(fT) | 25MHz | |
集电极截止电流(Icbo@Vcb) | 20uA | |
集电极-发射极饱和电压((VCE(sat)@Ic,Ib) | 3V@4A,40mA | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
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