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RSD140P06TL
1个P沟道 耐压:60V 电流:14A
- 描述
- P沟道,-60V,-14A,103mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSD140P06TL
- 商品编号
- C62180
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：84 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：CPT3
FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：84 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1900pF @ 10V
功率 - 最大值：20W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：CPT3
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单