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S-LMUN5211T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-LMUN5211T1G

偏置电阻晶体管

描述
特性:简化电路设计。 减少电路板空间和元件数量。 SC-70/SOT-323 封装可采用波峰焊或回流焊。 改进的鸥翼形引脚在焊接过程中吸收热应力,消除芯片损坏的可能性。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力
商品型号
S-LMUN5211T1G
商品编号
C5383041
商品封装
SC-70​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
数量1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)202mW
晶体管类型NPN
直流电流增益(hFE)35@10mA,10V
最小输入电压(VI(on))3V@10mA,0.3V
属性参数值
最大输入电压(VI(off))500mV@100uA,5V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻13kΩ
电阻比率1.2
工作温度-55℃~+150℃
集射极饱和电压(VCE(sat))0.25V@10mA,0.3mA
集电极截止电流(Icbo)100nA

商品特性

  • 简化电路设计
  • 减少电路板空间和元件数量
  • SC-70/SOT-323 封装可采用波峰焊或回流焊。
  • 改良的鸥翼形引脚可在焊接过程中吸收热应力,消除芯片受损的可能性。
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • 汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用采用 S 前缀;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

数据手册PDF