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S-LDTD113ZLT1G
偏置电阻晶体管
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- 描述
- 特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，便于设备设计。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。应用：反相器。 接口
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- S-LDTD113ZLT1G
- 商品编号
- C5383061
- 商品封装
- TO-236
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 82 | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.5V@20mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 1kΩ | |
| 电阻比率 | 10 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入正向偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，使器件设计变得简单。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
应用领域
- 反相器、接口、驱动器。