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IS62WV10248HBLL-45TLI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS62WV10248HBLL-45TLI

高速、低功耗8Mbit静态RAM,采用CMOS技术,具备TTL兼容接口、单电源供电、三态输出和易于内存扩展等特性

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品牌名称
ISSI(北京矽成)
商品型号
IS62WV10248HBLL-45TLI
商品编号
C5381992
商品封装
TSOP-44II​
包装方式
盒装
商品毛重
4.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量8Mbit
工作电压2.2V~3.6V
读写时间45ns
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃
工作电流25mA
待机电流3.2uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

IS62/65WV10248HALL/BLL 是高速、低功耗的 8M 位静态随机存取存储器,采用 1M 字 × 8 位的结构。它基于高性能 CMOS 工艺制造。这种高可靠性工艺结合创新的电路设计技术,实现了高性能和低功耗。当 CS1# 为高电平(未选中)或 CS2 为低电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时功耗可降至最低。通过使用片选和输出使能输入,可轻松实现存储器扩展。低电平有效的写使能 (WE#) 控制存储器的写入和读取操作。该器件采用 JEDEC 标准的 48 引脚微型 BGA (6mm × 8mm) 和 44 引脚 TSOP (TYPE II) 封装。

商品特性

  • 高速访问时间:45ns,55ns
  • CMOS 低功耗运行
  • 工作电流:25 mA (最大值)
  • CMOS 待机电流:3.2 μA (典型值,25°C)
  • 兼容 TTL 接口电平
  • 单一电源供电
  • 1.65V ~ 2.2V VDD (IS62/65WV10248HALL)
  • 2.2V ~ 3.6V VDD (IS62/65WV10248HBLL)
  • 三态输出
  • 支持工业和汽车级温度范围
  • 提供无铅封装

数据手册PDF