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BSC500N20NS3GATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC500N20NS3GATMA1

1个N沟道 耐压:200V 电流:24A

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描述
特性:N 沟道,标准电平。出色的栅极电荷×导通电阻 RDS(on) 乘积(品质因数 FOM)。极低的导通电阻 RDS(on)。无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61240-2-21 标准为无卤产品。适用于高频开关和同步整流
商品型号
BSC500N20NS3GATMA1
商品编号
C5381902
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.225克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.58nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积(品质因数)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • 根据IEC61249-2-21标准无卤
  • 非常适合高频开关和同步整流

应用领域

  • 便携式设备负载开关
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF