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AO3400A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO3400A

N沟道,电流:5.8A,耐压:30V

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描述
特性:30V, 5.8A, RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 10V。 改进的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用:MB/VGA/Vcore负载开关。 手持仪器
品牌名称
MSKSEMI(美森科)
商品型号
AO3400A
商品编号
C5379092
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
栅极电荷量(Qg)4.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)345pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)55pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 20 V
  • 导通电阻(RDS(ON)) < 22 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
  • 导通电阻(RDS(ON)) < 28 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)

数据手册PDF