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AO3403
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 特性：-30V, -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ @ VGS = -10V。快速开关。有环保器件。适用于 -4.5V 栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。负载开关
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO3403
- 商品编号
- C5379106
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 226pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET广为人知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大至HEX - 4的芯片尺寸。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。 通孔版本（IRF9Z14L、SiHF9Z14L）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 表面贴装（IRF9Z14S、SiHF9Z14S）
- 薄型通孔（IRF9Z14L、SiHF9Z14L）
- 175°C工作温度
- 快速开关
- P沟道
- 全雪崩额定值