温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HY1920B
1个N沟道 耐压:200V 电流:72A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：200V/72A-RDS(ON) = 22mΩ (典型值) @ VGS = 10V。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：高频负载点同步降压转换器。 电动工具应用
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HY1920B
- 商品编号
- C5377757
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 127nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.558nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 257pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
GSx25N65EF是一款低压N沟道多外延超结功率MOSFET样品，采用先进技术，具备更优特性，如快速开关时间、低输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）、低导通电阻以及出色的雪崩特性。
商品特性
- 200V/72A
- RDS(ON) = 22 mΩ(典型值)@ VGS = 10V
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤器件(符合RoHS标准)
应用领域
- 高频负载点同步降压转换器
- 电动工具应用
- 网络直流-直流电源系统