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IRF9Z14STRLPBF
1个P沟道 耐压:60V 电流:6.7A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。D2PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸最大为HEX - 4的芯片
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9Z14STRLPBF
- 商品编号
- C5377597
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 270pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电机控制-电源管理功能
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