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SIA483ADJ-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package。 Provides excellent RDS-Qg Figure-of-Merit (FOM) for switching applications。应用：Battery charging and management
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA483ADJ-T1-GE3
- 商品编号
- C5377599
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 对于功率要求较高而无法使用TO - 220AB器件的商业 - 工业应用，首选TO - 247AC封装。TO - 247AC与早期的TO - 218封装相似，但由于其安装孔绝缘，性能更优越。它还提供了更大的引脚间爬电距离，以满足大多数安全规范的要求。
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 为开关应用提供出色的导通电阻-栅极电荷品质因数(FOM)
- 100%进行栅极电阻测试
应用领域
- 电池充电与管理
- 负载开关
- DC/DC转换器
- 电池供电、移动和可穿戴设备的电源管理