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CPC5602CTR
N沟道耗尽型场效应晶体管
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- 描述
- CPC5602 是一款 N 沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用了专有的第三代垂直 DMOS 工艺。第三代工艺在经济高效的硅栅工艺中实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺制造出的器件可靠性极高，尤其适用于电信、安防和电源等严苛的应用环境
- 品牌名称
- Littelfuse(美国力特)
- 商品型号
- CPC5602CTR
- 商品编号
- C5374821
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.216克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@350mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.62V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO6401A采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 350V漏源电压
- 耗尽型器件在低温下提供低RDS(ON)
- 低导通电阻: 8 Ω (典型值)@ 25℃
- 低 VGS(off) 电压: -2.0V至 -3.6V
- 高输入阻抗
- 低输入和输出泄漏电流
- 小封装尺寸SOT - 223
- 与PC卡(PCMCIA)兼容
- 节省PCB空间和成本
应用领域
- LITELINK数据接入装置(DAA)的支持组件
- 电信
- 常开开关
- 点火模块
- 转换器
- 安防
- 电源