温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BDR2L00
栅极驱动半桥芯片
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是一款驱动双NMOS的栅极驱动器，工作电压范围宽，内部集成自适应死区控制电路，具有欠压保护功能。
- 品牌名称
- 巴丁微
- 商品型号
- BDR2L00
- 商品编号
- C5371998
- 商品封装
- DFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 2.2A | |
| 工作电压 | 3.3V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 110uA |
商品概述
BDR2L00是一款单相MOSFET栅极驱动器，针对驱动高端和低端功率MOSFET的栅极进行了优化。
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 高频操作（高达1MHz）
- 支持3.3V和5V的PWM输入
- 快速输出上升时间
- 内部自举二极管，自适应直通保护
- 欠压锁定
- 内部热关断
- 小尺寸封装：SOP-8、DFN8（2x2、3x3）
- 这些是无铅器件
应用领域
- 5W至20W系统的无线充电器
- N+N MOSFET半桥或全桥驱动器
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交25单
其他推荐
- C43Q1152K40C000
- C43Q1822M61C000
- C45S1184K6SC000
- C322C105J90C000
- C322G105JB0C000
- C3D2H406KF0BC00
- C3D1U186KB00C00
- C383A125KC01121
- C241J225J2SC000
- C242A221K20C000
- C242A331J20C000
- C242A471J20C000
- C242A681J20C000
- C242A154J20C000
- TAJB336M010TNJ
- 12105C334KAT2A
- A1502H-4P
- C4201WVA-F-2x2P
- A2541HWV-2P
- A2005WR-N-2X5P
- A2541HWV-2x7P